Вчені з Фуданьського Університету встановили світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши новий пристрій флеш-пам’яті, який здатний зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і виявився набагато швидшим за найсучасніші енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування пристрою та прискорення розвитку технології. Зараз команда дослідників працює над тим, як перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати їх досліджень були опубліковані у журналі Nature.
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам'яті
